СКЛАД ARGUSSOFT

Для коммутации, изменения тока в цепи используют транзистор. Выделяют основные два класса: биполярный и полевой. Каждый вид характеризуется своими особенностями и недостатками (по этой причине были разработаны другие виды).

По типу проводимости выделяют N и P канальные, при этом характеристики P канальных на порядок уступают N канальным. MOSFET различаются на планарные и Trench (канавочные). Последние нашли широкое применение благодаря очень низкому сопротивлению, которое можно получить на очень маленькой площади кристалла (0,5мОм для 40В – наилучший показатель).

Производители:

Найдено результатов: 3

Наименование Производитель Техническое описание Кол-во на складе Прогноз поставки Цена за 1шт
1 BSS123
Транзистор
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1071 2-3 недели - Отправить запрос
2 FGH25T120SMD_F155
Транзистор
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 10 2-3 недели - Отправить запрос
3 FGH40N60SFDTU
Транзистор
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 290 2-3 недели 189,9

Цены на все компоненты указаны в рублях.

Если Вы не нашли интересующий Вас товар, обратитесь к нашему менеджеру, он предоставит Вам наиболее полную информацию по наличию товаров на складах и ценам на товары.

Информацию о получении специальной цены на определенные товары вы можете получить у наших менеджеров.

  1. Биполярный транзистор имеет ряд недостатков – база постоянно нуждается в токе для поддержания в открытом состоянии, низкая скорость выключения, связанная с рекомбинацией и рассасыванием неосновных носителей заряда в базе, прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 0,7-3В, невозможность проводить обратную полярность.
  2. Транзистор со встроенным каналом имеет конечное омическое сопротивление, проводимость у него двунаправленная, для поддержания в открытом состоянии требует некоторую энергию, подаваемую на затвор.
  3. Транзистор с индуцированным каналом, проводит ток в двух направлениях, управляется напряжением и практически не требует энергии для поддержания в открытом состоянии. Кремневые приборы всегда имеют технологический паразитный диод сток-исток. Данный тип MOSFET нашел самое широкое применение по причине великолепных свойств – маленькие потери.
  4. Биполярный транзистор с изолированным каналом – это гибрид между полевым и биполярным. Мощные транзисторы IGBT эффективны при больших напряжениях и токах. Однако они медленнее чем MOSFET.

При проектировании важно учитывать потери при переключении (динамические) и во включенном состоянии (статические). На динамические влияет скорость переключения, а на статические – сопротивление сток-исток или прямое падение коллектор – эмиттер. Чем ниже эти значения, тем меньше потерь и выделяемого тепла.

В настоящий момент появились приборы на широкозонных материалах – GaN и SiC. Они имеют ряд преимуществ: выше скорость, меньше удельное сопротивление, выше допустимое напряжение сток-исток, рабочая температура достигает 500-700 градусов С, обладают устойчивостью к радиации. Стоимость выше кремниевых, но преимущества очевидны. Массогабаритные размеры могут быть снижены на порядок, а эффективность увеличивается на 99,9%.

Аргуссофт Компани предлагает поставку транзисторов в широком ассортименте.

X

Добавление товара в корзину:


Вы выбрали товар "".
В настоящее время на складах компании "" этот товар находится в количестве штук.

Какое количество товара вы хотите заказать?
Количество:

X

Запрос на позицию:


Количество штук*
Ваше имя*
Ваша фамилия*
Ваш email*
Ваш телефон*
Компания*
Комментарий
Security code

X
 
Надежность пароля:
 
Security code
X