Для коммутации, изменения тока в цепи используют транзистор. Выделяют основные два класса: биполярный и полевой. Каждый вид характеризуется своими особенностями и недостатками (по этой причине были разработаны другие виды).
По типу проводимости выделяют N и P канальные, при этом характеристики P канальных на порядок уступают N канальным. MOSFET различаются на планарные и Trench (канавочные). Последние нашли широкое применение благодаря очень низкому сопротивлению, которое можно получить на очень маленькой площади кристалла (0,5мОм для 40В – наилучший показатель).
Цены на все компоненты указаны в рублях.
Если Вы не нашли интересующий Вас товар, обратитесь к нашему менеджеру, он предоставит Вам наиболее полную информацию по наличию товаров на складах и ценам на товары.
Информацию о получении специальной цены на определенные товары вы можете получить у наших менеджеров.
- Биполярный транзистор имеет ряд недостатков – база постоянно нуждается в токе для поддержания в открытом состоянии, низкая скорость выключения, связанная с рекомбинацией и рассасыванием неосновных носителей заряда в базе, прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 0,7-3В, невозможность проводить обратную полярность.
- Транзистор со встроенным каналом имеет конечное омическое сопротивление, проводимость у него двунаправленная, для поддержания в открытом состоянии требует некоторую энергию, подаваемую на затвор.
- Транзистор с индуцированным каналом, проводит ток в двух направлениях, управляется напряжением и практически не требует энергии для поддержания в открытом состоянии. Кремневые приборы всегда имеют технологический паразитный диод сток-исток. Данный тип MOSFET нашел самое широкое применение по причине великолепных свойств – маленькие потери.
- Биполярный транзистор с изолированным каналом – это гибрид между полевым и биполярным. Мощные транзисторы IGBT эффективны при больших напряжениях и токах. Однако они медленнее чем MOSFET.
При проектировании важно учитывать потери при переключении (динамические) и во включенном состоянии (статические). На динамические влияет скорость переключения, а на статические – сопротивление сток-исток или прямое падение коллектор – эмиттер. Чем ниже эти значения, тем меньше потерь и выделяемого тепла.
В настоящий момент появились приборы на широкозонных материалах – GaN и SiC. Они имеют ряд преимуществ: выше скорость, меньше удельное сопротивление, выше допустимое напряжение сток-исток, рабочая температура достигает 500-700 градусов С, обладают устойчивостью к радиации. Стоимость выше кремниевых, но преимущества очевидны. Массогабаритные размеры могут быть снижены на порядок, а эффективность увеличивается на 99,9%.
Аргуссофт Компани предлагает поставку транзисторов в широком ассортименте.