English Portuguese
 
12.01.2016   

Первые MOSFET 650V по инновационной технологии SuperFET3 от Fairchild




Fairchild Semiconductor анонсировал первые MOSFET 650V по инновационной технологии SuperFET3
 
Это два первых прибора в линейке, планируется расширение – минимальное сопротивление 20мОм в корпусе TO247. Приборы уникальны существенно меньшими емкостями (в 3 раза) и соответственно высокой скоростью переключения и меньшими динамическими потерями. Технология позволяет также уменьшить размеры приборов. Так, транзистор, который был ранее доступен только в корпусе ТО247, теперь доступен в корпусе ТО220.
 
В настоящий момент существует только две компании в мире (включая Fairchild Semiconductor), производящие приборы такого класса.

Подробнее о FCB070N65S3 >>

Подробнее о FCPF067N65S3 >>

 
Источник: www.fairchildsemi.com



Версия для печати
Назад

Место проведения*:
ФИО*:
Телефон*:
Электронный адрес*:
Организация*:
Должность*:
Security code
* - обязательные поля
X
 
Надежность пароля:
 
Security code
X