English Portuguese
 
21.10.2014   

Новые Field Stop Trench IGBT компании Fairchild Semiconductor серии SHD




Компания Fairchild Semiconductor  представляет новую серию  650-вольтовых IGBT транзисторов SHD. Они производятся по технологии Field Stop Trench третьего поколения со встроенным мягким быстродействующим обратным диодом. Эти IGBT транзисторы производятся на ультратонких пластинах, что обеспечивает чрезвычайно низкое падение напряжения в открытом состоянии. Совокупность  низких потерь проводимости с  низкими потерями на переключение делает данные IGBT транзисторы идеальным выбором в следующих областях применения:

  • Сварочные аппараты
  • Мощные источники питания
  • Инверторы  преобразователей солнечной энергии
  • Источники бесперебойного питания
  • Активные корректоры коэффициента мощности
  • Телекоммуникационные источники питания

                                                                 

Особенности:

  • Великолепное сочетание потерь проводимости и потерь при переключении
  • Отсутствие хвостового тока
  • Высокие скорости переключения (>50 кГц)
  • Низкая входная емкость
  • Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
  • Способность пропускать большие токи  30 - 75А при 100oC
  • Максимальная температура перехода TJ = 175oC
  • Положительный температурный коэффициент (возможность параллельного подключения транзисторов)
  • Удовлетворяют требованиям RoHS
  • Корпуса TO-247, TO-3P
Наименование Прямое падение напряжения Tс = 25oC Ток коллектора, А Корпус
Tс = 100oC Tс = 25oC
FGA30T65SHD 1.62 30 60 TO-3P
FGA40T65SHD 1.62 40 80 TO-3P
FGA50T65SHD 1.62 50 100 TO-3P
FGH40T65SHD_F155  1.65 40 80 TO-247
FGH60T65SHD_F155  1.62 60 120 TO-247
FGH75T65SHD_F155  1.65 75 150 TO-247
 
Источник: www.fairchildsemi.com



Версия для печати
Назад

Место проведения*:
ФИО*:
Телефон*:
Электронный адрес*:
Организация*:
Должность*:
Security code
* - обязательные поля
X
 
Надежность пароля:
 
Security code
X