IXYS расширяет список XPT IGBT-транзисторов изделиями большей мощности
Компания IXYS (NASDAQ: IXYS) анонсирует расширение списка производимых XPTTM IGBT, выпустив компоненты более высокой мощности и энергетической эффективности. Новый кристалл IGBT на 80А/1200В, установленный в модули конфигурации CBI (converter-brake-inverter) в корпусе E3-pack, обеспечивает эффективное управление электродвигателями мощностью от 15 до 20 кВт.
XPTTM IGBT разработаны и производятся IXYS, обеспечивая наилучший набор характеристик, требуемых для эффективного управления электродвигателями, что подтверждено выбором этих компонентов рядом крупнейших мировых производителей инвертерной техники. IXYS является полностью независимым, автономным каналом поставки XPTTM IGBT и способен обеспечить конкурентоспособные цены наряду с высокой скоростью новых разработок и быстрой адаптации изделий под нужды заказчиков. Все эти факторы способствуют снижению рисков в цепи поставок силовых компонентов при уменьшении стоимости готовой продукции.
Входные выпрямительные мосты построены с использованием высоконадёжных 1600В диодов, способных обеспечить лавинный ток до 1100А, а высокоэффективный инвертер на 1200В XPTTM IGBT соответствует самым высоким требованиям, свойственным для приложений по управлению электродвигателями или преобразованию энергии.
MIXA80WB1200TEH является примером модуля с новыми кристаллами и обеспечивает высокую интеграцию силовых компонентов в конфигурации CBI в корпусе E2-pack, в то время как модуль MIXA80W1200TED содержит 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Оба модуля содержат выпрямительный мост и выполнены на изолированном основании. Стандартная топология корпуса позволяет легко заменять модули других производителей.
Более подробная информация доступна на www.ixyspower.com.
Последние 5 новостей ленты Новости IXYS
- Новые триаки CLA60 MT1200MHB от IXYS // 29.07.2010, Автор: Юрий Ермаков
- IXYS расширяет список XPT IGBT-транзисторов изделиями большей мощности // 20.11.2009, Автор: Новости IXYS
- Новые высоковольтные транзисторы BiMOSFET на напряжение 2500 и 3000В от IXYS // 23.10.2009, Автор: IXYS
- IXYS расширяет линейку GenX3TM дискретных IGBT на напряжение до 600V // 24.02.2009,
- Компания IXYS RF выпустила новый модуль ixz4df12n100 // 02.02.2009,
