IXYS расширяет линейку GenX3TM дискретных IGBT на напряжение до 600V
Milpitas, CA, Февраль 2009 - IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) анонсировала выпуск нового семейства GenX3TM IGBT транзисторов напряжения 600В. Новый продукты предлагаются в трех подклассах А3, В3 и С3. Такое разделение позволяет разработчику выбрать наилучший компромисс между статическими и динамическими характеристиками, улучшить общую эффективность решения за счет сбалансированности критических параметров, таких как частота переключения, КПД и стоимость компонентов. Разработанное IXYS семейство транзисторов выполнено по PT (Punch-Through) технологии и обеспечивает высокую устойчивость к лавинным токам, низкое прямое падение напряжения, а также низкие потери коммутации и предлагает разработчику богатый выбор компонентов для решения задач преобразования энергии в цепях до 600В.
Данная группа IGBT транзисторов выпускается в конфигурациях со встроенными быстродействующими HiPerFREDTM и SONICTM диодами, которые обеспечивают превосходные параметры быстрого восстановления наряду с низким зарядом обратного восстановления Qrr, что в совокупности улучшает итоговые характеристики переключения. «Квадратная» область безопасной работы (RBSOA), доступная в новых GenX3TM IGBT транзисторах, позволяет эффективно работать без дополнительных снабберных цепей в условиях жестких переключений. Данная группа изделий доступна также в корпусах семейства ISOPLUS, которые обеспечивают изоляцию до 2500В и превосходные тепловые характеристики.
Семейство GenX3TM IGBT приносит множество разнообразных технических преимуществ и способно улучшить стоимостные характеристики готового изделия в широком спектре применений, таких как сварочные аппараты, управление двигателями, индукционный нагрев и др.
Типовые схемы применения включают корректор коэффициента мощности, узлы систем бесперебойного питания, источники питания инверторного типа, индукционные, DC, BLDC приводы электродвигателей, преобразователи энергии для солнечных батарей и схемы зарядки аккумуляторов.
Новые продукты доступны в различных корпусах, включая широкий спектр стандартных корпусов для поверхностного монтажа и обычные, выводные исполнения. Диапазон коммутируемых токов дискретных транзисторов составляет от 36 до 210А. Первые представители семейства- IXGH48N60A3D1 (Ic110 = 48A, Vsat = 1.35V), IXGK320N60A3 (Ic110= 210A, Vsat = 1.25V), IXGH36N60B3D1 (Ic110 = 36A, Vsat = 1.8v), IXGH90N60B3 (Ic110= 90A, Vsat = 1.8V), IXGA30N60C3 (Ic110 = 30A, Vsat = 3V) и IXGH60N60C3D1 (Ic110 = 60A, Vsat = 2.5V).
Дополнительная информация доступна на www.ixys.com
GenX3TM A3-Class IGBT Summary Table, up to 5KHz
GenX3 TM B3-Class IGBT Summary Table, 5kHz to 40kHz
GenX3TM C3-Class IGBT Summary Table, 50kHz -150kHz
IXYS GenX3™ IGBT Parametric Data and Datasheets
*Select “G-Series, A3, B3, & C3 Class GenX3™ IGBTs” to filter the product table to display all GenX3 TM devices.
- Новые триаки CLA60 MT1200MHB от IXYS // 29.07.2010, Автор: Юрий Ермаков
- IXYS расширяет список XPT IGBT-транзисторов изделиями большей мощности // 20.11.2009, Автор: Новости IXYS
- Новые высоковольтные транзисторы BiMOSFET на напряжение 2500 и 3000В от IXYS // 23.10.2009, Автор: IXYS
- IXYS расширяет линейку GenX3TM дискретных IGBT на напряжение до 600V // 24.02.2009,
- Компания IXYS RF выпустила новый модуль ixz4df12n100 // 02.02.2009,
