Компания IXYS RF выпустила новый модуль ixz4df12n100
Компания IXYS RF выпустила новый модуль ixz4df12n100
Компания IXYS RF, входящая в состав корпорации IXYS выпустила новый модуль, объединивший высокочастотный драйвер DEIC515 и MOSFET DE375-102N12A (1000V, 12A).
Преимущества данного решения: низкая индуктивность (<2nH), высокое напряжение изоляции (более 2500V), высокая теплопроводность, низкое сопротивление канала (<0.7 Ohms), сокращение площади теплоотвода, улучшенные возможности термоциклирования.
Область применения- высокочастотные усилители мощности, диапазона до 40 МГц, в классе D, E, HF и RF.
Последние 5 новостей ленты Новости IXYS
- Новые триаки CLA60 MT1200MHB от IXYS // 29.07.2010, Автор: Юрий Ермаков
- IXYS расширяет список XPT IGBT-транзисторов изделиями большей мощности // 20.11.2009, Автор: Новости IXYS
- Новые высоковольтные транзисторы BiMOSFET на напряжение 2500 и 3000В от IXYS // 23.10.2009, Автор: IXYS
- IXYS расширяет линейку GenX3TM дискретных IGBT на напряжение до 600V // 24.02.2009,
- Компания IXYS RF выпустила новый модуль ixz4df12n100 // 02.02.2009,
