Превосходство в сфере энергосбережения
IXYS начинает производство новой линейки мощных транзисторов MOSFET в изолированных корпусах ISOPLUS i5-Pak.
Корпорация IXYS объявила о выпуске новой линейки мощных транзисторов MOSFET, рассчитанных на диапазон рабочих напряжений от 55В до 100В. Отличительной особенностью данного семейства транзисторов является сверхнизкое сопротивление канала Rds(on). В новой серии удалось достичь технического улучшения основных параметров, главным образом, благодаря применению современных технологий изготовления кристаллов и корпусирования: два новых кристалла i5-Pak MOSFET объединены в новом изолированном корпусе ISOPLUS i5-Pak. В большинстве выпускаемых на данный момент дискретных MOSFET транзисторов допустимая нагрузка по току ограничивается только типом применяемых корпусов и составляет около 75А. Корпуса ISOPLUS i5-Pak выпускаются с 5 силовыми выводами для реализации сдвоенной конфигурации кристаллов в одном корпусе по схеме с общей базой, что увеличивает допустимую нагрузку по току до 150А. Все изолированные корпуса, предлагаемые компанией IXYS, выпускаются с применением DCB керамики. Это обеспечивает полную изоляцию нижней части корпуса устройства. В качестве примера приводятся характеристики двух транзисторов:
IXTL2x240N055T (напряжение 55В, Rds(on) 4.4мОм/кристалл, общее Rds(on)=2.2мОм);
IXTL2x180N10T (напряжение 100В, Rds(on) 7.4мОм/кристалл, общее Rds(on) 3.7мОм).
Маломощные переключатели на основе эффекта Холла.
Micronix разработала семейство недорогих маломощных переключателей на эффекте Холла. Новые переключатели MX887P, MX887D и MX887U разработаны как замена герконовых реле (бесконтактных выключателей) в следующих областях применения: коммерческое, промышленное и автомобильное. Эти маломощные переключатели отличает очень низкий уровень смещения, что, в свою очередь, обеспечивает хорошую чувствительность, точность и высокую стабильность переключений, а также стойкость к механическим воздействиям и долговременную надежность. Встроенная микросхема энергосбережения позволяет снизить потребляемый ток до 5A при 3 В, благодаря чему данные переключатели являются одними из самых маломощных устройств по индустрии в целом. Выход переключателя активируется разнополярными магнитными полями с точностью порядка +/- 60 Гс, при этом обеспечивается превосходный уровень чувствительности при использовании недорогих магнитов. По выбору доступны три типа цифровых интерфейсов: МХ887Р с CMOS двухтактным выходом, МХ887D c nMOS однотактным выходом с нижним ключом и МХ887Р с pMOS однотактным выходом с верхним ключом. Все микросхемы MX887 выпускаются в трехвыводных бессвинцовых корпусах согласно директиве RoHS.
Данные микросхемы применяются для измерения магнитных полей и токов, и поэтому, могут применяться для разработки недорогих датчиков тока в энергосберегающих схемах. Малое энергопотребление таких микросхем позволяет использовать их в таких приложениях как мобильные телефоны, ноутбуки, охранные системы и оборудование для обнаружения и активации, особенно для дверей, различных крышек и кожухов. Примерами использования таких микросхем могут быть: системы контроля закрытия дверец и крышек в товарах массового потребления (микроволновые печи, холодильники и стиральные машины) либо дверей и окон в домах и автомобилях (охранные системы).
Clare расширяет свою линейку силовых реле, предлагая как АС/DC, так и DC устройства с увеличенным рабочим током до 32 А.
Clare объявила о расширении семейства АС/DC и DC полупроводниковых силовых реле. Новые устройства CPC1708 и CPC1709, предлагают разработчикам увеличенные рабочие токи до 24А и 32А (при Tc=25oC) соответственно. CPC1708 производится в корпусах i4-Pak, имеет величину блокирующего напряжения на уровне 60В и сопротивление в открытом состоянии порядка 0.05Ом.
Технология MOSFET с оптической связью обеспечивает изоляцию между входом и выходом в 2500В и, так же как и во всех реле компании Clare, оптически сопряженный выход управляется GaAlAs инфракрасным светодиодом. Это уникальное семейство, соответствующее директиве RoHS, предлагает самые мощные полупроводниковые реле на рынке, производящиеся с применением технологии MOSFET. Области применения: управление двигателями, роботы, медицинское оборудование, управление железнодорожным и автомобильным движением, потребительское оборудование, управление производственными процессами, тестовое и измерительное оборудование.
- Новые триаки CLA60 MT1200MHB от IXYS // 29.07.2010, Автор: Юрий Ермаков
- IXYS расширяет список XPT IGBT-транзисторов изделиями большей мощности // 20.11.2009, Автор: Новости IXYS
- Новые высоковольтные транзисторы BiMOSFET на напряжение 2500 и 3000В от IXYS // 23.10.2009, Автор: IXYS
- IXYS расширяет линейку GenX3TM дискретных IGBT на напряжение до 600V // 24.02.2009,
- Компания IXYS RF выпустила новый модуль ixz4df12n100 // 02.02.2009,
